Perbezaan antara MOSFET dan BJT

MOSFET vs BJT

Transistor adalah peranti semikonduktor elektronik yang memberikan isyarat output elektrik yang banyak berubah untuk perubahan kecil dalam isyarat input kecil. Oleh kerana kualiti ini, peranti boleh digunakan sebagai penguat atau suis. Transistor dibebaskan pada tahun 1950 -an dan ia boleh dianggap sebagai salah satu ciptaan yang paling penting pada abad ke -20 memandangkan sumbangannya. Ia adalah peranti yang berkembang pesat dan banyak jenis transistor telah diperkenalkan. Transistor Bipolar Junction (BJT) adalah jenis pertama dan logam oksida semikonduktor medan transistor (MOSFET) adalah satu lagi jenis transistor yang diperkenalkan kemudian.

Transistor Bipolar Junction (BJT)

BJT terdiri daripada dua persimpangan PN (persimpangan yang dibuat dengan menyambungkan semikonduktor jenis P dan semikonduktor jenis N). Kedua-dua persimpangan ini dibentuk menggunakan penyambungan tiga kepingan semikonduktor mengikut urutan p-n-p atau n-p-n. Oleh itu, dua jenis BJT yang dikenali sebagai PNP dan NPN tersedia.

Tiga elektrod disambungkan ke tiga bahagian semikonduktor dan memimpin pertengahan ini dipanggil 'asas'. Dua persimpangan lain adalah 'pemancar' dan 'pemungut'.

Di BJT, arus pemungut besar (IC) dikawal oleh arus pemancar asas kecil (IB) dan harta ini dieksploitasi untuk mereka bentuk penguat atau suis. Oleh itu ia boleh dianggap sebagai peranti yang didorong semasa. BJT kebanyakannya digunakan dalam litar penguat.

Transistor Kesan Lapangan Semikonduktor Metal Oxide (MOSFET)

MOSFET adalah sejenis Transistor Kesan Medan (FET), yang diperbuat daripada tiga terminal yang dikenali sebagai 'Gate', 'Sumber' dan 'Drain'. Di sini, arus longkang dikawal oleh voltan pintu. Oleh itu, MOSFET adalah peranti dikawal voltan.

MOSFET boleh didapati dalam empat jenis berbeza seperti saluran N atau saluran P dengan sama ada dalam pengurangan atau mod peningkatan. Saliran dan sumber diperbuat daripada semikonduktor jenis N untuk N Channel MOSFET, dan juga untuk peranti saluran P. Pintu gerbang diperbuat daripada logam dan dipisahkan dari sumber dan longkang menggunakan oksida logam. Penebat ini menyebabkan penggunaan kuasa yang rendah dan ia adalah kelebihan dalam MOSFET. Oleh itu MOSFET digunakan dalam logik CMOS digital, di mana MOSFET P- dan N-saluran digunakan sebagai blok bangunan untuk meminimumkan penggunaan kuasa.

Walaupun konsep MOSFET dicadangkan sangat awal (pada tahun 1925), ia dilaksanakan secara praktikal pada tahun 1959 di Bell Labs.