Perbezaan antara IGBT dan GTO
IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-Off thyristor) dan IGBT (Transistor Bipolar Gate Tertanggung) adalah dua jenis peranti semikonduktor dengan tiga terminal. Kedua -duanya digunakan untuk mengawal arus dan untuk tujuan menukar. Kedua -dua peranti mempunyai terminal mengawal yang dipanggil 'pintu', tetapi mempunyai pengetua operasi yang berbeza.
GTO (thyristor pusing pintu)
GTO diperbuat daripada empat jenis P dan jenis N jenis semikonduktor, dan struktur peranti sedikit berbeza berbanding dengan thyristor biasa. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai sepasang transistor (satu PNP dan lain -lain dalam konfigurasi NPN), sama seperti thyristor biasa. Tiga terminal GTO dipanggil 'Anode', 'Cathode' dan 'Gate'.
Dalam operasi, thyristor bertindak apabila nadi diberikan ke pintu gerbang. Ia mempunyai tiga mod operasi yang dikenali sebagai 'mod penyekatan terbalik', 'mod penyekatan ke hadapan' dan 'mod pengendalian ke hadapan'. Sebaik sahaja pintu gerbang dicetuskan dengan nadi, thyristor pergi ke 'mod menjalankan ke hadapan' dan terus menjalankan sehingga arus ke hadapan menjadi kurang daripada ambang 'yang memegang arus'.
Sebagai tambahan kepada ciri -ciri thyristors biasa, 'off' keadaan GTO juga dapat dikawal melalui denyutan negatif. Dalam thyristors biasa, fungsi 'off' berlaku secara automatik.
GTO adalah peranti kuasa, dan kebanyakannya digunakan dalam aplikasi semasa berselang.
Transistor Bipolar Gate terlindung (IGBT)
IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'pemancar', 'pemungut' dan 'pintu'. Ia adalah sejenis transistor yang dapat mengendalikan kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan beralih yang lebih tinggi menjadikannya lebih efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980 -an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua -dua transistor Mosfet dan Bipolar Junction (BJT). Ia dipandu gerbang seperti MOSFET dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJTS. Oleh itu ia mempunyai kelebihan keupayaan pengendalian semasa yang tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) Mengendalikan Kilowatt Kuasa.
|
Apa perbezaan antara IGBT dan GTO? 1. Tiga terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan pintu, sedangkan GTO mempunyai terminal yang dikenali sebagai anod, katod dan pintu gerbang. 2. Pintu GTO hanya memerlukan nadi untuk bertukar, sedangkan IGBT memerlukan bekalan voltan pintu berterusan. 3. IGBT adalah sejenis transistor dan GTO adalah sejenis thyristor, yang boleh dianggap sebagai sepasang transistor yang ditambah dengan ketat dalam analisis. 4. IGBT hanya mempunyai satu persimpangan PN, dan GTO mempunyai tiga daripadanya 5. Kedua -dua peranti digunakan dalam aplikasi kuasa tinggi. 6. GTO memerlukan peranti luaran untuk mengawal giliran dan pada denyutan, sedangkan IGBT tidak memerlukan.
|
