Perbezaan antara IGBT dan MOSFET
IGBT vs MOSFET
MOSFET (logam oksida semikonduktor kesan medan transistor) dan IGBT (transistor bipolar pintu bertebat) adalah dua jenis transistor, dan kedua -duanya tergolong dalam kategori yang didorong oleh pintu gerbang. Kedua -dua peranti mempunyai struktur yang sama dengan pelbagai jenis lapisan semikonduktor.
Transistor Kesan Lapangan Semikonduktor Metal Oxide (MOSFET)
MOSFET adalah sejenis Transistor Kesan Medan (FET), yang diperbuat daripada tiga terminal yang dikenali sebagai 'Gate', 'Sumber' dan 'Drain'. Di sini, arus longkang dikawal oleh voltan pintu. Oleh itu, MOSFET adalah peranti dikawal voltan.
MOSFET boleh didapati dalam empat jenis yang berbeza, seperti saluran N atau saluran P, sama ada dalam mod pengurangan atau peningkatan. Saliran dan sumber diperbuat daripada semikonduktor jenis N untuk N Channel MOSFET, dan juga untuk peranti saluran P. Pintu diperbuat daripada logam, dan dipisahkan dari sumber dan longkang menggunakan oksida logam. Penebat ini menyebabkan penggunaan kuasa yang rendah, dan ia adalah kelebihan dalam MOSFET. Oleh itu, MOSFET digunakan dalam logik CMOS digital, di mana MOSFET P- dan N-saluran digunakan sebagai blok bangunan untuk meminimumkan penggunaan kuasa.
Walaupun konsep MOSFET dicadangkan sangat awal (pada tahun 1925), ia dilaksanakan secara praktikal pada tahun 1959 di Bell Labs.
Transistor Bipolar Gate terlindung (IGBT)
IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'pemancar', 'pemungut' dan 'pintu'. Ia adalah sejenis transistor, yang boleh mengendalikan kuasa yang lebih tinggi, dan mempunyai kelajuan beralih yang lebih tinggi menjadikannya lebih efisien. IGBT diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980 -an.
IGBT mempunyai ciri -ciri gabungan kedua -dua transistor Mosfet dan Bipolar Junction (BJT). Ia dipandu gerbang seperti MOSFET, dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJTS. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan keupayaan pengendalian semasa yang tinggi, dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) boleh mengendalikan kilowatt kuasa.
|
Perbezaan antara IGBT dan MOSFET 1. Walaupun kedua -dua IGBT dan MOSFET adalah peranti dikawal voltan, IGBT mempunyai ciri -ciri pengaliran BJT seperti. 2. Terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pemungut, dan pintu, sedangkan MOSFET diperbuat daripada pintu gerbang, sumber, dan longkang. 3. IGBTS lebih baik dalam pengendalian kuasa daripada MOSFET 4. IGBT mempunyai persimpangan PN, dan MOSFET tidak memilikinya. 5. IGBT mempunyai penurunan voltan ke hadapan yang lebih rendah berbanding dengan MOSFET 6. MOSFET mempunyai sejarah yang panjang berbanding dengan IGBT
|
